Rambus再挥专利大棒 美光被诉内存专利侵权

2006-01-16
　　Rambus在向法庭提出的诉状中称，美光在DDR、DDR2、GDDR2、GDDR3、RLDRAM等产品中侵犯了Rambus的多项专利。

　　上周末，Rambus在法院禁止向美光半导体(Micron)提出诉讼的期限到期后，迫不及待地在美国加利福尼亚北区联邦地方法庭就专利侵权问题向美光提出新的诉讼。

　　Rambus在向法庭提出的诉状中称，美光在DDR、DDR2、GDDR2、GDDR3、RLDRAM等产品中侵犯了Rambus的多项专利，这些专利包括降低内存写入延迟技术、内存控制器设计技术、内存自动预先充电技术等18项技术。Rambus表示，在起诉前已经同美光进行过广泛的沟通，但是美光仍继续销售包含上述技术的产品，Rambus为了维护自己的权益对美光提出诉讼，同时针对这一诉讼庭外和解的大门已经关闭。对于索赔的具体数额Rambus并没有说明，但是市场分析人士认为Rambus至少会要求美光支付3%的销售额作为赔偿。

　　事实上，除了美光之外，几乎全球所有主要半导体厂商如三星、现代、南亚都在Rambus的诉讼名单上，2005年Rambus刚刚在与三星的专利纠纷中获得初步胜利以后，Rambus的股价已经上涨了33美元。

　

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