东芝、Hynix NAND Flash专利诉讼和解

2007-03-22

　　东芝20日宣布，该公司与韩国Hynix的半导体专利争讼，双方已达成和解协议。争议虽曾一度扩大至日美两地，但在此次和解后，两家公司已决定签订交叉授权合约，今后将可交互使用彼此拥有的专利。

　　双方过去争讼的对象，为主要用于记忆卡或MP3随身听的NAND型快闪记忆体。东芝于2004年11月，主张该公司拥有的电路结构专利遭受侵害，因而针对Hynix的日、美法人，分别向当地的法院提出专利侵权告诉，要求对方停止销售行为，并支付损害赔偿。2006年3月东京地院判决东芝胜诉，Hynix一方面提出上诉，一方面也朝向和解持续进行协商。

　　东芝今后将可自Hynix取得专利授权的使用费，金额则未公布。两家公司也于20日共同宣布，“所有的专利争讼都将告终”。